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SOPT news -- 2004/9/28
【ピューリフィケーション研究会】
ピューリフィケーション研究会（ＳＯＰＴ）会員の皆様へ
◎ちょっと一言
今や電化製品にはIC製品が搭載されるのが当たり前になっている。
IC製品に搭載する最近のデバイスは高性能化と縮小化に伴って、静電破壊耐量が
だんだん小さくなっている。といっても液晶プロセス並みまでは行かないが、
100V〜200Vが最も多い管理基準値である。
静電気の放電はESD（Electrostatic discharge)として知られる。これに加えて
電化製品用や車載用は、ICを取り付ける基板組立も完成した製品も静電気対策に
が超神経を尖らせている。ESDS（Electrostatic discharge sensitive)がそれで
ある。これにどんな訳が付けられたか？？意味が通じないけど“静電気放電敏感
性”もっとも近い意味で正確に書けば“電子部品やそれらを搭載した製品の静電
気による損傷を対象とした静電気敏感性を有するデバイス”。
これが、製造ラインでは結構やっかいである。どのメーカーも金のかからない
ESDS対策に本気に取り組み始めている。（藩鎮）
ヘッドライン
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■電子産業分野における静電気対策の変革
■プラズマエッチング装置内発塵のモニタリング
●宮崎産業クラスター推進協議会事務局からの情報
『第５回全九州半導体技術フォーラムｉｎ宮崎』
●『第８回ＳＯＰＴシンポジウム』のご案内
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以下本文
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■電子産業分野における静電気対策の変革
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藤江明雄様、「クリーンテクノロジー」Vol.14, No.6, pp. 1-4（2004年6月）
の技術論文より
ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)の技術ロードマ
ップは改定毎にその予測を上回る微細化技術の進行を示し、デバイスの静電気放
電耐性は微細化の新世代ごとに急速に低下している。微細化設計の進展は高電界
を緩和するために電源電圧を低下させる傾向にあり、EMI(Electro Magnetic
lnterference)対策の実施や電源回路の高安定化も必要となっている。また、静
電気に敏感なデバイスが多く使用されている携帯電話やDVD/HDDの需要拡大によ
り、より強力な静電気対策が必要となっている。さらにリソグラフ装置やレチク
ルの高価格化は装置の24時間稼動化となり、EMIによる装置の誤動作･停止はロス
コスト対策が必要となり、ここにもESD/EMC(Electro Magnetic Compatibility)
からの保護･防止の新課題がある。
このため一社のみで全てのESD対策活動を行う事は困難であり、企業間コラボレ
ーションが必要となってくる。半導体分野においては静電気対策の歴史は長く、
各種のワーキンググループやタスクフォースが開かれている。一方でFPD分野に
於いては企業内での活動は活発に行われているようであるが、企業間コラボレー
ションは今後の課題である。
＊藤江様には『第８回ＳＯＰＴシンポジウム』でご講演頂く予定です。
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■プラズマエッチング装置内発塵のモニタリング
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上杉文彦様、「クリーンテクノロジー」Vol.14, No.1, pp. 17-20（2004年1月）
の技術論文より
半導体デバイスの量産工場では、製造装置内で発生するパーティクルがウエハ
に付着することによって生じる配線パターンの短絡や断線が、歩留まりや製造装
置の稼働率の低下をひきおこす主要因である。半導体製造工程のうち、特にプラ
ズマエッチングではパーティクルの発生が多く、歩留まりを低下させる主な工程
と考えられている。
ここでは、プラズマエッチング装置にレーザ散乱光計測システムを適用して、
エッチング中に発生するパーティクルの振る舞いを観察し、チェンバ内の電気特
性が及ぼす影響について考察した。そして、バイアス電極をプラズマエッチング
装置内に挿入することにより、ウェハ上のパーティクル除去に効果が期待できる
ことを明らかにした。
＊上杉様には『第８回ＳＯＰＴシンポジウム』でご講演頂く予定です。
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●宮崎産業クラスター推進協議会事務局からの情報
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タイトル：２００４年（第５回）全九州半導体技術フォーラムｉｎ宮崎
開催日時：平成１６年１０月２５日（月）１３：００〜１７：３０
開催場所：ワールドコンベンションセンターサミット（シーガイア）
参加費： ３０００円
主催： 九州半導体イノベーション協議会、宮崎産業クラスター推進協議会
詳細： http://www.si-cluster.jp/newinfo_description.php?no=68
問合窓口：（財）宮崎県産業支援財団（宮崎産業クラスター推進協議会事務局）
担当＝奥、佐澤 TEL：0985-74-3850 FAX：0985-74-3950
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●『第８回ＳＯＰＴシンポジウム』のご案内
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開催日時：平成１６年１１月２日（火）、９：４０−１７：２０（9:00開場）
開催場所：八重洲博多ビル（博多駅新幹線口より徒歩約5分）
参加費： ５，０００円（テキスト、昼食代、消費税を含む）
定員： ５０名
申込・詳細： http://www.puriken.org/smp-8.htm
講演内容（敬称略）：
「パーティクル対策を施した半導体工程内容器の開発」
富士ベークライト（株）開発部 坂本貴樹
「Si表面、材料の汚染評価技術」
（株）東レリサーチセンター 東京営業第1部技術部長 味岡恒夫
「液晶ガラス及びウェーハプロセスにおける静電気の諸問題」
（株）カイジョー 技術顧問 藤江明雄
「デバイスの進化に対応するシリコンウェーハ技術」
三菱住友シリコン（株） 技監 中前正彦
「クリーン化のための分析評価の最新技術と応用」
（株）東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター 嶋崎綾子
「プラズマ装置内の剥離パーティクルの挙動」
ＮＥＣエレクトロニクス（株）基盤技術開発事業本部 上杉文彦
「揮発性不純物の影響と対策」
日本マイクロリス（株）応用技術開発部 大屋敷 靖
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