SOPT news -- 2005/5/27
【ピューリフィケーション研究会】
ピューリフィケーション研究会（ＳＯＰＴ）会員の皆様へ
「第8回SOPT Q&Aセミナー」には多くのお申込みを頂き、誠に有難う御座いまし
た。また、定員超過により、一部の皆様にはご不便をお掛けしますことを、深く
お詫び申し上げます。
◎ちょっと一言
クリーン化の４原則がある。①ゴミを発生させるな②ゴミを持ち込むな③ゴミ
を堆積させるな④ゴミは速やかに取り除け。実に簡単だけどゴミ対策で行き詰ま
ったときにや迷ったときに役に立つ。これは錦の旗と言うべきか、黄門さまの印
籠というべきか、大変ありがたいお言葉です。最近は、ミニエンの４原則が出て
きた。ある先生はこう言った。①漏らさない（遮断性能の完全化）②持ち込まな
い（クロスコンタミ防止）③発生させない（内部起因汚染防止）④溜めさせない
（パージ・排気性能）。なるほどなるほど、今やクリーン化はゴミだけやってい
るわけではないし、４原則のミニエンバージョンもあっていい。確かに時代は変
わったが５Ｓ重視は変わって欲しくない。（真理の燕）
ヘッドライン
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■伸縮性と清浄性に優れた制電手袋
■クリーン化技術入門 その３「クリーンルームの要求清浄度」
■半導体産業におけるクリーン化技術の最新動向
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以下本文
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■伸縮性と清浄性に優れた制電手袋
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昨今の半導体・IT産業の発展は目覚しいものがある。集積制度も高レベルに達
し、従来にない静電気に対する対策が必要となってきている。特に組立等の後工
程に於いての静電気障害は増加してきており、生産ラインでの損害も無視できな
くなっている。 従来から使用されている製品、特に静電気対策品の発展は目覚
しく進歩している。あらゆる物体の接触による静電気の発生は防ぎようが無く、
特に現在の様に各現場に於ける管理電圧が下がっている今、5～10V近くまで要求
されている。材料の受入・検査・仕分け・保管・アッセンブル・検査・包装・出
荷に至る迄の全ての工程で注意する必要がある。
今回、特に伸縮性と清浄性に優れた、新しいタイプの制電手袋を紹介する。
【特徴】
・従来の薄いナイロン製手袋に比べ、強度が高い
・硫化銅を使用していない
・発塵性も低い
以上の特徴を併せ持ったナイロンとカーボン導電糸をシームレスに縒り依り合わ
せ、伸縮性に優れ、冷温による汚染も少ない、経済的な手袋である。
【材質・仕様】
繊維： ナイロンおよびカーボン導電糸
コーテング： ポリウレタン
ノンコート ノンコーテング手袋
指先コーテング トップコーテング手袋
掌コーテング パームコーテイング手袋
◎詳細はこちらをご覧下さい： http://www.puriken.org/guardner-02.htm
◎問合先：株式会社ガードナー
http://www.guardner.co.jp/
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■クリーン化技術入門 その３「クリーンルームの要求清浄度」
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(株)テクノ菱和 田村 一
1.清浄度の要因項目と要求値
清浄度はクリーンルームにおいて最も重要な管理項目であり、清浄度管理の目的
は製品歩留りの維持および向上である。クリーンルームの清浄度は、人体からの
発塵をはじめとした内部発生やフィルタリーク等の要因により決まる。
一方、クリーンルームにおける要求清浄度は、対象製品に求められる表面の清浄
度（許容される付着粒子数あるいは分子状汚染物質（以下AMC）濃度）と気中濃
度との関係から求めるべきであるが、経験値を目途に設定される場合もある。
2.ITRSにおける要求値
所要歩留りをもとに大気中の汚染物質許容値を提示しているのが,International
Technology Roadmap for Semiconductor（ITRS）である。ITRSは半導体製造に必
要な技術を今後15年間に渡って予測し、実現のための技術的な課題と解決策を明
示するものとされている。ITRSは奇数年に改訂版、偶数年にそのアップデート版
が作成されており、現在2004年度アップデート版が公開され、ITRSのwebサイト(
http://public.itrs.net/ )から無料でダウンロードできる。
3.ウェーハ表面濃度と気中濃度
表面濃度と気中濃度との関係については、ITRSで示される方法のほか、(1)式も
用いられる。
C=N/(v・t・γ)・・・(1)
ここに、C：気中濃度[個/m3またはng/m3]、N：表面濃度[個/m2またはng/m2]、
v：気流速度[m/s]、t：ウェーハ暴露時間[s]、γ：付着確率
微粒子の場合、付着確率は概ね10E-4レベルであるが、AMCについては気中の組成
成分、ウェーハの表面状態などの影響で付着挙動が異なることが知られている。
参考までに百地らによるウェーハ暴露実験では、付着確率は酸性物質(Cl-, NO3-
, SO42-)で10E-3～10E-5、塩基性物質(NH4+)で10E-5のレベルと報告している。
こうした方法（(1)式）やITRSで示される方法を利用し、清浄度の目標値を議論
する必要がある。
◎詳細はこちらをご覧下さい：
http://www.puriken.org/cleanroom-03.htm
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■半導体産業におけるクリーン化技術の最新動向
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半導体産業新聞5月25日版に、SOPT副委員長園田氏のインタビュー記事が『クリ
ーンルーム・ミニエン技術特集』に掲載されました。以下、要点を抜粋します。
現在のミニエン方式は、超クリーンルーム環境を低コストで容易に作るという
ことでは大きな成果を上げている。（一方で、）ITRSの指針では、hp65nm世代で
の管理すべきパーティクル粒径は、その半分の約30nmというレベルが求められて
いる。しかし、このレベルはいまだ計測技術すらないような水準である。
（パーティクル管理について）管理レベルが厳しくなる今後の先端プロセスにお
いては、これら（プロセス中に発生する超微小パーティクル）が不良の原因とし
て浮上してくる可能性がある。現在の製造プロセスでは、これらの超微小パーテ
ィクルの発生を完全に抑えることは不可能である。
（対策について）例えば、装置とロードポートをつなぐFFEMに、精密な気流制御
機能を付加することで、超微小パーティクルを装置外へ排出する技術が提案され
ている。（また、）制御しきれないパーティクルをいかにウエハーに近づけない
か、というアプローチが重要になる。特にウエハーに最も近いFOUPは、ESAによ
り、ウエハーを誘導させる危険性がある。（ケミカル汚染対策として）今後、管
理レベルがシビアになった場合、FOUPは環境BOXへの切り替えが必要となるだろ
う。環境BOXとは、現在のFOUPに、N2パージ機能などクリーン化機能を付加した
次世代モデルである。
（最後に）クリーン化すれば歩留まりが必ず上ることが証明されている。クリー
ン化技術の未来には、日本の半導体産業、日本の製造業の生きる道が開かれてい
るといっても過言ではない。
◎詳細はこちらをご覧下さい：
http://www.puriken.org/news0505_scn.htm
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