SOPT news -- 2005/10/26
【ピューリフィケーション研究会】
ピューリフィケーション研究会（ＳＯＰＴ）会員の皆様へ
◎ちょっと一言
今回のSOPTシンポジウムは装置内発塵と異物検査装置にスポットがあてられて
いる。今まで異物発生メカニズムが不明で、現場での検証実験や歩留り改善に苦
労した技術者は数多くいると思う。何しろ講師は、この研究で有名な先生。あっ
という間に視覚し複雑な現象を交通整理をしてしまった。ブラックジャックより
も名医かもしれない。それに、異物検査装置の話が聞きどころ。とにかく異物検
査は人間にしろ機械にしろ沢山の時間を要していた。一気に“こだま”から“ひ
かり”を飛び越し、“のぞみ”並みの速さとなっている。しかもソフトの発展で
カテゴリー分類・統計処理など、たかがゴミをここまで芸術に仕上げるとは恐れ
入った。それほどこのシンポジウムは面白い！！聞かないと損と思います。正直
な話。勿論このコラムの執筆者も聞きに行く。弁当は出るらしい。。。（藩鎮）
ヘッドライン
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■ クリーン化技術入門 その８「作業者の管理」
●「第９回ＳＯＰＴシンポジウム」11月2日福岡 －－ 締め切り間近！
●「第１０回ＳＯＰＴシンポジウム」11月17日東京 －－ 申込み受付中
●『全九州半導体技術フォーラム』 －－ 九州半導体イノベーション協議会
●『平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会：特別シンポジウム』
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以下本文
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■ クリーン化技術入門 その８「作業者の管理」
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(株)テクノ菱和 田村 一
１．作業者の管理の必要性
最先端の半導体工場では、製品（ウェーハ）と作業者を分離するミニエンバイ
ロメントの採用により、作業者起因の汚染問題は大きく減少している。しかし、
クリーンルームの適用分野は広く、作業者が直接製品をハンドリングしたり、製
品近傍で作業したりする場合は少なくない。そのような状況では、作業者から発
生する汚染物質が製品に影響を与える可能性があることから、作業者一人一人が
「自分が汚染源」であることを認識し、「コンタミネーションコントロール」の
必要性を理解していくことが不可欠である。以下では作業者から発生する汚染物
質について概説し、ついで作業者の教育や入退室などについて述べる。
２．人体から発生する微粒子
作業者からの微粒子発生機構は「非被覆部からの発塵」「手袋からの発塵」「
靴からの発塵」「襟口・袖口からの漏洩」「スーツからの発塵」に分類される。
クリーンルーム用衣服を透過してくる微粒子もあるが、腕の上げ下げや歩行動作
などが伴う作業では、クリーンスーツ内で圧力変動が生じるため襟口や袖口から
外部に微粒子が漏洩する。こうした作業動作に伴う影響のほか、喫煙や化粧品の
使用による影響も知られている。喫煙については、喫煙直後の呼気に含まれる微
粒子数は非喫煙者の数十倍に達し、非喫煙者における呼気中の濃度レベルまで低
下するのに約２時間必要であるとされる。ただし、喫煙直後にうがいをすること
で、発塵量は約1/6～1/7に低減することができる。また、化粧品は洗顔後の発塵
量が最も少なく、ファンデーション等を使用すると発塵量は10～100倍増加する。
３．人体から発生する分子状汚染物質
人体から発生する分子状汚染物質は、無機物質と有機物質に大別され、それら
の発生原因は呼吸や発汗などによる代謝起因と喫煙や化粧品の使用などによる生
活活動起因に分類される。無機物質のなかでは、呼吸に伴う二酸化炭素の発生量
が多く、そのほかに一酸化炭素、硫化水素、アンモニアなどが発生している。
一方、有機物質は多種多様な成分が発生している。主な発生源は呼気であり、低
分子の炭化水素とアルコール、ケトン、カルボン酸、硫化物の濃度が比較的高い
傾向にあり、具体的な成分としては、イソプレン、アセトンの濃度が高い。
４．クリーンルーム内での行動と作業方法
前述したように、人体からは様々な物質が発生している。従って、クリーンル
ーム内の行動には一定のルールが設けられており、汚染物質の発生と製品への付
着を防止することが求められる。クリーンルームにおけるルールの例を以下に示
す。
①製品の近くや真上で作業しない ②歩行は静かにする ③不要な動作はしない
④清浄度を特に要求する区域には必要以上に立ち入らない ⑤床に落ちたペンな
どはアルコールや純水で拭く ⑥穴あけ等発塵作業はクリーンルーム外に持ち出
して行う ⑦作業終了後、規定に従い、整理整頓清掃し、不要物を残さない。
作業者自身が気をつけるべき内容もあるが、作業の仕方そのものを考えるべき内
容もあり、作業者が作業台に接触しない工夫や気流方向が作業者の上方や前方に
なるように作業位置を配置したりする工夫などが重要である。
５．作業者への教育と入退室時の注意事項
汚染が発生しないように、クリーンルーム内における行動を定めていても、そ
れが確実に実行されなくては意味がない。そのためには、作業員に対する教育・
訓練が必要である。教育・訓練にあたり考慮すべき基本的な項目を以下に示す。
1)清浄度に関する一般知識 2)クリーンルーム施設の構造と機能 3)クリーンル
ーム内における作業内容 4)クリーンルーム施設の保守・清掃 5)クリーンルー
ム施設内の製品および作業員の移動経路 6)クリーンルーム用運搬容器の管理
7)作業員の保健・衛生 8)安全対策 9)クリーンルーム用衣服の着脱・歩行方法
などのクリーンルーム内での行動 10)持込み機材の清浄化、清浄度の検査など
また、クリーンルーム入退室時の注意事項を以下に示す。
＜入室時＞
・パッキングされているクリーンルーム用衣服は所定の場所で開封する
・喫煙・食事後の入室手順に規定がある場合はそれに従う
・時計、イヤリングなどの装飾品を着用しない
・クリーンルーム用衣服を着用したまま、規定の場所以外に立ち入らない
・私物は全て所定のロッカー内に保管する
・化粧等は落とした方が良いが、薄めへのお願いに留めざるを得ない場合もある
・発塵源となる普通紙やシャープペンシルなどの物品は持ち込まない
・正しくクリーンルーム用衣服が着用できているか確認する（頭髪をフードから
出さない、腕まくりしない）
＜退出時＞
・クロス汚染を防ぐため、あらかじめ定められた手順で退室する
・更衣区域までクリーンルーム用衣服は脱衣しない
・クリーンルーム用靴を脱いだ後、必要に応じて手洗いをしてからクリーンルー
ム用衣服を脱ぐ
◎詳細はこちらをご覧下さい：
http://www.puriken.org/cleanroom-08.htm
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●「第９回ＳＯＰＴシンポジウム」11月2日福岡 －－ 締め切り間近！
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◎開催日時：平成１７年１１月２日（水）、１０：００－１７：００(9:30開場)
◎開催場所：福岡朝日ビル（博多駅博多口より徒歩約1分）
◎参加費： 会員５，０００円（非会員１０，０００円）
◎申込み： 以下の事項をご記入の上、このメールに返信して下さい。
◎申込締切：平成１７年１０月２７日（木）
参加申込：第9回「SOPTシンポジウム」に参加する
ご氏名：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
ご所属先：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
所在地：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
電話/Fax：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
E-mail：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
◎詳細：
http://www.puriken.org/symp-9.htm
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●「第１０回ＳＯＰＴシンポジウム」11月17日東京 －－ 申込み受付中
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◎開催日時：平成１７年１１月１７日（水）、９:５０－１７:００（9:30開場）
◎開催場所：機械振興会館（東京都港区芝公園3-5-8）
◎参加費： １０，０００円（テキスト、昼食代、消費税を含む）
◎申込み： 以下の事項をご記入の上、このメールに返信して下さい。
◎申込締切：平成１７年１１月１０日（木）
参加申込：第10回「SOPTシンポジウム」に参加する
ご氏名：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
ご所属先：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
所在地：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
電話/Fax：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
E-mail：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
◎詳細：
http://www.puriken.org/symp-10.htm
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●『全九州半導体技術フォーラム』 －－ 九州半導体イノベーション協議会
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開催日時：平成１７年１１月２４日（木）１３：００～１９：３０
開催場所：大分東洋ホテル（大分市田室9-20）
問合せ先：大分県LSIクラスター形成推進会議事務局 担当：野田、沓掛
TEL/FAX 097-596-7179 E-MAIL:noda@oita-ri.go.jp
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●『平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会：特別シンポジウム』
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開催日時：平成１７年１１月２６日（土）１４：００～１７：５０
開催場所：福岡工業大学工学部（
http://ohbutsu.fit.ac.jp/ ）
参加申込：事前申込み不要（当日受付）、参加費無料（講演予稿集１０００円）
問合先： 応用物理学会九州支部
講演内容：
14:05-14:55 「日本の半導体産業とＲ＆Ｄ」
（株）ルネサステクノロジ 業務執行役員 西村 正 氏
14:55-15:30 「酸化濃縮法によるSGOI基板の作製と、高移動度CMOSへの適用」
ＭＩＲＡＩ－ＡＳＥＴ 手塚 勉 氏
15:45-16:35 「高品質歪Si-SGOIウェーハ」
（株）ＳＵＭＣＯ 技監 中前正彦 氏
16:10-16:35 「歪Si-SGOI用SiGeバッファ層の極薄化」
九州大学大学院システム情報科学研究院 教授 宮尾正信 氏
16:35-17:00 「半導体分析評価技術と歪Siウェーハへの応用」
福菱セミコンエンジニアリング（株）副センター長 榎田豊次 氏
17:00-17:25 「歪Si-SGOIウェーハの欠陥評価」
九州大学産学連携センター 教授 中島 寛 氏
17:25-17:50 「歪Si-SGOIのデバイス試作」
九州工業大学マイクロ化総合技術センター 教授 浅野種正 氏
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