SOPT news -- 2007/11/05
【ピューリフィケーション研究会】
ピューリフィケーション研究会（ＳＯＰＴ）会員の皆様へ
今号は『第12回 ＳＯＰＴシンポジウム』の見どころと講演要旨をご紹介します。
◎ちょっと一言
ＳＯＰＴシンポジウム（11月22日；福岡）は今回も楽しそうだ。
まずは、半導体新聞社の松下さん。東京のセミナーで何回も拝聴したが、「紙芝
居」の術を用いて「メモリー半導体」の作り方を易しく説明する。何で易しいの
か？それは、パソコンで切ったり貼ったりしてデバイスの構造を可視化している
からだ。お話も情熱的かつ明解でこりゃ聴かないと損だと思う。
今回の講演はなんとリソグラフィー中心のプログラムだ。見どころ・聴きところ
満載！龜山（Mr. Kameyama）さんの話は液浸の話。超最先端で話題の中心じゃん
と思う。世界各国を飛び回り、今回は札幌(雪虫が飛ぶ季節かな？←これホント)
から来ていただけるとのことで感謝感激！世界最先端技術を是非勉強したい。
木下さんと百田さんの話は面白そうだ。百田さんが45nm用の先端のレジスト技術
を解説。一体どんな材料が使われるのか、そしてその隠し味は？興味津々。一方
、木下さんはマスクのお話。木下さんのお話は45nmのSoCに用いるフォトマスク、
これも興味が尽きない。これとクリーン化技術の接点は？んっ？よう分からん。
けど、ケミカル汚染でマスクが曇る程度しか知らんけど、きれいにものを作るこ
とには変わりない。この際勉強しましょう。最後の大屋敷さんが、フィルターの
お話でこれらの疑問をろ過してきれいにしてくれるでしょう！！乞うご期待！！
東京でもこんだけの話はいっぺんで聴けんばい。（中国帰りの藩鎮）
以下、講演要旨より
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「これなら分かる半導体フロント・エンド・プロセス」
‐‐紙芝居で見るトランジスタ構造とその製造プロセス・フロー‐‐
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(株)産業タイムズ社 半導体産業新聞 松下晋司
半導体ができるまでのプロセス・フローの内、前工程において、フロント・エン
ド・プロセスと呼ばれている「トランジスタ形成プロセス」を、その構造ととも
に、文系ご出身者の方でも分かるレベルで解説いたします。難しい数式やグラフ
、メカニズムなどはすべて排除し、紙芝居を見る感覚でご聴講ください。新入社
員のための教育セミナーとしてもご利用できます。
ただし、講演時間の関係から、リソグラフィやエッチング、成膜など、半導体製
造に必要なプロセスごとの解説と装置・材料説明は割愛いたしますので、予めご
承知ください。専門分野に携わる方々には稚拙な講演になるかもしれませんが、
新たな視点で捉えていただければ幸いです。
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「先端フォトマスクの現状と今後の課題」
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ＨＯＹＡ(株)マスク事業部 先端プロジェクト統括部 木下 博
ウェハ上で形成するパターン寸法が、露光波長を下回ってから久しい。現在、先
端デバイス分野では45nm SoC量産開始等の報告が成されているが、これらを実現
する上でフォトマスクは重要な役割を担っており、これを支えるフォトマスクブ
ランクス技術及びフォトマスク技術は益々重要となっている。
講演では、これらの現状と今後の課題について述べると同時にポストArF リソグ
ラフィ技術であるNGL用マスク技術についても簡単に触れたい。
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「リソグラフィ技術の現状と今後の展望」
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(株)ニコン 精機カンパニー 開発本部 龜山雅臣
半導体素子の高集積化を支えてきたリソグラフィ技術は ArF液浸露光装置が半導
体量産ラインに導入され量産に寄与するところまで来ている。“45nm液浸技術”
の現状を述べると共に、今後の液浸技術の動向を示す。
一方で32nm以降、水液浸以降のリソグラフィ技術はEUVL、高屈折率液浸、ML2、
Imprint、Double Patterning等々多くの候補が有り混沌としている。EUVLの成熟
が望まれているがまだ多くの問題を抱え 32nmには間に合わない可能性があり、
Double Patterning が32nmへの候補として急上昇している。混沌とする32nm以降
のリソグラフィ技術を展望する。
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「最先端レジストの開発状況」
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富士フイルム(株)エレクトロニクスマテリアルズ研究所 百田 淳
ArF露光と超解像技術の組み合わせによる微細画像形成は 55nm世代を限界とし、
45nm世代以降の次世代リソグラフィーでは、液浸露光とその応用、及び EUVリソ
グラフィーの開発が進められている。これらの次世代リソグラフィー技術開発に
伴い、レジスト材料開発も新たな局面を迎えている。従来、レジストは空気中で
露光されていたが、液浸露光では水、EUV露光では真空と、レジストが晒される
環境が変化し、各々に対応する新規な材料技術開発が必要とされている。
そこで、本講演では次世代リソグラフィーに求められる性能とレジストの設計、
材料のトレンドについて紹介する。
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「リソグラフィプロセスにおけるケミカルフィルタの応用」
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日本インテグリス(株)応用技術開発本部 大屋敷靖
半導体デバイスの微細化に重要な役割を果たしてきた化学増幅型レジストは、環
境中のアンモニアに対して極めて敏感である。このため、化学増幅型レジストを
取り扱う雰囲気中からは、アンモニアを排除することが求められる。また、エキ
シマレーザー光源の導入は、極微量の揮発性不純物が、露光装置内に設置されて
いるレンズを曇らせる、という新たな問題を誘発することとなった。近年では、
レチクル表面に発生するヘイズ（曇り）が、半導体の生産性に重大な影響を与え
ており、この問題も揮発性不純物が主要因であると考えられている。
以上の様に、先端リソグラフィプロセスにおいては、揮発性不純物の制御が極め
て重要な課題となっている。ケミカルフィルタおよびその技術が、リソグラフィ
プロセスにおいてどの様に利用されているのか紹介する。更に、最近、特に深刻
になっているレチクルヘイズ問題への解決策を提案する。
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『第１２回 ＳＯＰＴシンポジウム』開催概要
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開催日時：平成１９年１１月２２日(木)、１０：００−１７：００
開催場所：Ａ.Ｒ.Ｋビル（博多駅筑紫口より徒歩約５分）
定員： ６０名
参加費： 会員１０，０００円（非会員１３，０００円）
申込締切：平成１９年１１月１６日(金)
【申込方法】
◎FAXによる申込み：以下のサイトから案内書をご利用ください。
http://www.puriken.org/symp-12.htm
◎メールによる申込み：
メールに以下の事項をご記入の上、このメールに返信して下さい。
参加申込：第12回「SOPTシンポジウム」に参加する
ご氏名：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
ご所属先：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
所在地：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
電話/Fax：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
E-mail：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
◎入金方法：銀行振込（福岡銀行 博多駅東支店 普1785203 SOPT事務局）
または当日現金
◎申込締切：平成１９年１１月１６日（金）
(会場の都合上、定員になり次第締め切らせていただきます)
◎お問合先：ＳＯＰＴ事務局 二ノ宮または古川
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