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| SOPT news -- 2008/5/27 【ピューリフィケーション研究会】 ピューリフィケーション研究会（ＳＯＰＴ）会員の皆様へ
なにか変と思ったら３００ｍｍは１２インチではなかった。 １インチは概ね２５．４ｍｍ。１２インチだと３０４．８ｍｍ。０．４８ｃｍも 大きい。３００ｍｍウェーハで０．４８ｃｍのズレは大きい。 ウェーハは１２インチではなく３００ｍｍで作ってあるので、１２インチとは呼 ばないほうがいい。「３００ｍｍ」と呼ぶべきである。 なにかつまらない話だけど、時たま真剣な話になる。ＦＯＵＰのミニエンは３０ ０ｍｍウェーハ対応である。このミニエンの基本・金属汚染・半導体デバイスの 作り方など知りたい方にいい話がある。 ６月６日のＳＯＰＴのＱ＆Ａがそれだ。すべてが解決する！！！ とは、言い 過ぎかもしれないが楽しそう。是非のご参加を！ 何でここまでこだわるか、それは当日著者も姿を見せるから である。
ヘッドライン ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ ■ ＦＯＵＰの問題点
■ 環境にやさしい機能水を用いた洗浄技術 第５回「オゾン水の用途事例と効果(2)」
●『第１１回 ＳＯＰＴ Ｑ＆Ａセミナー』--ピューリフィケーション研究会
●『半導体静電気対策★徹底解説』--電子ジャーナル
●『クリーンルーム講座：現場で役立つクリーン化』--情報機構 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
以下本文 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― ■ ＦＯＵＰの問題点 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 三菱電機(株)パワーデバイス製作所 園田信夫 ＦＯＵＰの開発当初から現在に到るまで密閉容器であることから独自の課題を抱 えてきた。最近では、多くの解決策が取られており高い歩留りをあげているが、 ここでは当初議論された項目について以下に示した。 ①OHTなどの搬送機器が急停止・急発進することにより、FOUP本体(Cell)が圧縮・ 膨張した際、内圧変化を生じ、呼吸作用によりパーティクルを巻き入れた。 -->>ブリージングフィルター（呼吸孔のフィルター）の取り付け回避 ②FOUPドアを開いたとき、FOUP内が負圧となりパーティクルを巻き込んだ。 -->>ドア開閉速度調整して回避 ③FOUPとロードポート(R/P)との位置ズレ。 -->>キネマッテックピン(Kinematic coupling pin)の採用により回避 ④FOUPドア開閉要ラッチキーの角度が戻らずドア開閉不能。 -->>ラッチ角度調整・角度戻し機構見直しにより回避 ⑤FOUPドアがパッキンの吸着により開閉不能。 -->>パッキン材変更により回避 ⑥FOUPドア内側パッキン材部に洗浄時の水分残留。 -->>乾燥条件見直しにより回避 ⑦FOUP交換回数・洗浄回数の適正化。 -->>FOUP内残留成分によるクロスコンタミ防止 ⑧FOUP内でウェーハ加工時の残留成分による自己汚染・間接汚染。 -->>N2DA（乾空）置換にて回避 などがある。
―――――――――――――――――――――――――――――――――――― ■ 環境にやさしい機能水を用いた洗浄技術 第５回「オゾン水の用途事例と効果(2)」 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 野村マイクロ・サイエンス(株) 柳 基典 前回は、半導体・液晶製造分野でもっとも多く使われている濃度５～２０mg/L のオゾン水の用途事例と効果について解説しました。今回は高濃度オゾン水につ いて解説します。 高濃度オゾン水の濃度定義は特になく、また分野によってもさまざまですが、 半導体・液晶製造分野においては、オゾン濃度60mg/L以上を高濃度オゾン水と呼 んでいます。高濃度にすると反応がより激しくなるので、同分野では製造工程の レジスト剥離に利用され始めています。 ①オゾンによるフォトレジストの分解反応機構 フォトレジストは、ポジ型・ネガ型の２つに分類されます。ここでは、配線幅 １μｍレベルの微細加工に利用されているノボラック樹脂を使用したポジ型フォ トレジストのオゾンによる分解反応機構を示します。フォトレジストの主成分は 、基材となるノボラック樹脂と感光剤のナフトキノンジアジドで、その分解反応 機構は、オゾンによって基材の２重結合を分解し、最終的に炭酸ガスと水になり ます。 ②高濃度オゾン水によるレジスト剥離 レジストの塗布膜圧は、１μｍ～２μｍあります。レジスト剥離速度は、既存の 技術で代表的なものとしてＳＰＭ溶液（硫酸、過酸化水素の混合液）があります が、液温100℃において、0.1～0.2μｍ/minです。この方式に比べて、高濃度オゾ ン水によるレジスト除去をおこなった過去の研究例によると、レジスト剥離速度 は、0.04～0.05μｍでとどまっており、実用的でない報告があります。 近年において、50℃で50ppmの高濃度オゾン水でレジスト剥離速度を1μｍ/min 近くまで実現できることや、80℃で110ppmの高温高濃度オゾン水装置がセミコン ・ジャパン2007で発表されるなど、再び高温で高濃度のオゾン水によるレジスト 剥離技術が盛んに行われ始めています。 半導体・液晶製造工程でレジスト剥離する場合は、前工程との関係を考慮しな いと、実プロセスでの実用化は困難な場合がおおく、例えば、半導体においては 、前工程では、イオン注入されたものやドライエッチされたものでは、レジスト の膜表面は、硬化したり、変質したりしているために、オゾンでは分解除去不可 能な膜を形成しています。このような膜を除去しないと、オゾン水によるレジス ト剥離技術は完成できないものと思われます。今後の課題としては、これらの膜 を除去する技術も併用し、高濃度高温オゾン水を用いたレジスト剥離技術を完成 できれば、環境にやさしいオゾン水を用いた技術として、定着すると確信します。
◎詳しくはウェブページで： http://www.puriken.org/nms-05.htm
―――――――――――――――――――――――――――――――――――― ●『第１１回 ＳＯＰＴ Ｑ＆Ａセミナー』--ピューリフィケーション研究会 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 開催日時：平成２０年６月６日(金)、９：５０－１７：００(9:30開場) 開催場所：福岡朝日ビル（博多駅博多口から徒歩1分） 参加費： 会員１０，０００円（非会員１３，０００円） 定員： ５０名 主催： ピューリフィケーション研究会 詳細： http://www.puriken.org/qa-11.htm
◆◇◆ 定員間近となりました。ご希望の方はお急ぎお申込みください。◇◆◇
―――――――――――――――――――――――――――――――――――― ●『半導体静電気対策★徹底解説』--電子ジャーナル ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 開催日時：２００８年６月１７日（火）９：５０－１６：５０ 開催場所：総評会館（東京・御茶ノ水） 講師： 職業能力開発総合大学校／岡野一雄氏、三菱電機(株)／園田信夫氏、 沖エンジニアリング(株)／福田保裕氏、阪和電子工業(株)／澤田真典氏、 (株)ルネサステクノロジ／田中政樹氏 参加費： ４７，５００円（資料・昼食・税込） 主催： (株)電子ジャーナル 詳細： http://www.electronicjournal.co.jp/t_seminar/196.html
―――――――――――――――――――――――――――――――――――― ●『クリーンルーム講座：現場で役立つクリーン化』--情報機構 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 開催日時：２００８年６月２０日（金）１０：００－１７：００ 開催場所：東京・大井町 きゅりあん５階第３講習室 講師： シーズシー(有)代表取締役 稲永健氏 参加費： ４４，１００円（資料・昼食・税込） 主催： (株)情報機構 詳細： http://www.johokiko.co.jp/seminar_chemical/AC080616.php
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