 |
|
|
|
「金属不純物および結晶欠陥の影響のデバイスによる違い」 ‐‐先端MOSデバイスとパワーデバイスの比較を中心として‐‐ 三菱電機（株）パワーデバイス製作所 熊本工場 山本 秀和
シリコンに限らず、半導体デバイスの基本はエネルギーバンド構造であるが、 これは結晶の周期的境界条件から導かれる。この周期的境界条件を乱すものは全て結晶欠陥である。シリコン半導体デバイスはシリコンウエハ上に形成されるが、ウエハの表面やドーパントを含めた不純物も広義には結晶欠陥である。 ウエハ製造過程およびデバイス製造過程で様々な結晶欠陥が導入される。デバイスに悪影響をおよぼす結晶欠陥としては、COP、BMD、スリップ、Fe、Cu等が あるが、その影響度はデバイスにより異なる。現在急速に需要が伸びている MOS型集積回路とパワーデバイスは、デバイス構造の違いにより、ウエハ仕様 およびデバイス製造プロセスが大きく異なる。その結果、デバイスの特性、 歩留まりに与える結晶欠陥の影響も大きく異なってくる。様々な結晶欠陥の シリコン半導体デバイスに与える影響を系統的にまとめた。 |
|
この Web サイトに関するご質問やご感想などについては、sopt@entegris.comまで電子メールでお送りください。
|