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「Overview of SOI Materials Technology in China」 （中国におけるSOI材料テクノロジーの概要） 上海 Simgui Technology社 Chairman of the Board, CEO Dr. Xi Wang
The SOI technology is now moving into commercial product applications, particularly for high performance and low power CMOS circuits, radiation hardness devices and high temperature electronics. Trends in the SOI material initiate a new branch of the silicon based industry. From the early 1980s, SOI technologies, including ZMR, SIMOX, BESOI, ELO, Smart-cut and ELTRAN were developed in China. SIMOX is the most mature SOI technology，which, currently, is able to yield high quality substrates in commercial volumes. In order to cut down the production cost, the SIMOX technology optimization was investigated, such as fabrication for high quality low-dose SIMOX wafers by optimizing the dose energy match. In recent years, in order to overcome self-heating effect of standard SOI materials due to the poor thermal conductivity of the buried SiO2, novel structure SOI materials have been fabricated successfully. Also, SiGeOI (SGOI) material, an ideal substrate for realizing strained-silicon structures, has been investigated by modified SIMOX technology. From 2002, Shanghai Simgui Technology Co.,Ltd., which is a commercial spin-off of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology (SIMIT), Chinese Academy of Sciences(CAS), has successfully produced 100 mm, 125 mm and 150 mm SIMOX wafers and shipped the wafers to the semiconductor industry worldwide. This paper presents an outlook for R&D on SOI technologies, and the recent status and future prospect of SIMOX wafers in China. Key words: Silicon-on-insulator(SOI); ion implantation，Separation by Implanted oxygen(SIMOX) （SOIテクノロジーは、特に低電圧高機能CMOS回路、耐放射線デバイスおよび高温エレクトロニクスなど、商用製品アプリケーションへ移行しつつある。SOI材料のトレンドは、シリコン産業に新たな支流を拡げている。中国では、1980年代の初めから、ZMR、SIMOX、BESOI、ELO、Smart-cutおよびELTRANなどのSOIテクノロジーが開発されていた。SIMOXは最も成熟したSOIテクノロジーで、現在、高品質の基板を商用ボリュームで産出することができる。生産コストを下げるために、SIMOXウェーハの量産化に際し、高品質低ドーズ量ウェーハの実現に向けて、ドーズエネルギーの最適化が研究されてきた。近年、埋め込みSiO2の低熱伝導率による標準SOI材料の自己発熱効果を克服するために、斬新な構造のSOI材料の量産に成功した。さらに、歪みシリコン構造を実現するための理想的な基板であるSiGeOI(SGOI)材料が、SIMOXの改質技術によって研究された。上海Simgui Technology社は、中国科学院(CAS)の傘下にある研究機関 「Shanｇhai Institute of Microsystem and Information Technology(SIMIT)」から独立した企業で、100mm、125mmおよび150mmのSIMOXウェーハの生産に2002年から成功しており、世界中の半導体産業へウェーハを出荷している。本セミナーでは、中国におけるSOIテクノロジーの研究開発の見通し、およびSIMOXウェーハの最近の状況および将来の展望を示す。） |
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