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「ウェーハコンタミネーションの原子スケール制御」 （独）産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門 先端シリコンデバイスグループ 原 史朗
半導体プロセスのクリーン化は、最終的にはウェーハ上のコンタミネーションの抑制という目的に集約される。 パーティクルについては、局所クリーン化生産システムの導入もあって、比較的良く見通しがたっている。しかし、ガス状物質の制御については、今後の課題である。 本講演では、ガス状物質汚染が及ぼす影響について、シリコンカーバイドおよびシリコンウェーハを例にとって、配管のクリーン化、環境物質（有機物、水分子、酸素分子など）の徹底的な抑制が、ウェーハ表面に及ぼす原子スケールでの影響について、走査型トンネル顕微鏡などの表面分析や電気的特性の解析結果をお話しする。 これらの結果を踏まえ、昨年あたりから急速に重要視されるようになった、デバイス特性の揺らぎ問題について、環境物質との因果関係の観点から議論する。 |
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