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「32nmのリソグラフィを考える---液浸露光の最新動向と今後の展開---」 （株）ニコン 精機カンパニー 開発本部 第一開発部 龜山 雅臣
ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductor)の2005年版には 65nm@2007、45nm@2010、32nm@2013と半導体素子微細化の業界目標が示されている。 微細化の推進原動力となるリソグラフィ技術は45nm@2010に向けて 液浸露光装置の開発を終え、量産プロセスへの導入が始まっている。さらに32nm@2013 に向けリソグラフィ技術の選定が議論され始めた。 今回の講演では液浸露光装置の 現状と32nm@2013へ向けて提案されている各種技術（EUVL、液浸の延命、二重露光技術等)について述べる。 |
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