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「リソグラフィ技術の現状と今後の展望」 （株）ニコン 精機カンパニー 開発本部 第一開発部 龜山 雅臣
半導体素子の高集積化を支えてきたリソグラフィ技術はArF液浸露光装置が半導体量産ラインに導入され量産に寄与するところまで来ている。“45nm液浸技術”の現状を述べると共に、今後の液浸技術の動向を示す。 一方で32nm以降、水液浸以降のリソグラフィ技術はEUVL、高屈折率液浸、ML2、Imprint、Double Patterning等々多くの候補が有り混沌としている。EUVLの成熟が望まれているがまだ多くの問題を抱え32nmには間に合わない可能性があり、Double Patterningが32nmへの候補として急上昇している。混沌とする32nm以降のリソグラフィ技術を展望する。 |
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