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「最先端レジストの開発状況」 富士フイルム（株） エレクトロニクスマテリアルズ研究所 百田 淳
ArF露光と超解像技術の組み合わせによる微細画像形成は55nm世代を限界とし、45nm世代以降の次世代リソグラフィーでは、液浸露光とその応用、及びEUVリソグラフィーの開発が進められている。これらの次世代リソグラフィー技術開発に伴い、レジスト材料開発も新たな局面を迎えている。従来、レジストは空気中で露光されていたが、液浸露光では水、EUV露光では真空と、レジストが晒される環境が変化し、各々に対応する新規な材料技術開発が必要とされている。 そこで、本講演では次世代リソグラフィーに求められる性能とレジストの設計、材料のトレンドについて紹介する。 |
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