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ウェーハ外観検査の課題と最新技術

(株)アクレーテク・マイクロテクノロジ

プロダクトアプリケーション部

大金 淳一

 

近年、半導体デバイスの高集積化および微細化が加速しており既に70nmデバイスの量産化が始まり、開発段階のデバイスは65nm以降が本格化されている。これらデバイスの高密度化に伴い、デバイス製造歩留まりに致命的な影響を与えるキラー欠陥のサイズも微細化の一途をたどっており、ウエーハ検査装置に求められる欠陥検出感度も年々厳しくなっているのが現状である。一方、デバイス構造の複雑化に伴い、デバイス製造工程も変化しつつあり、新材料に対する高感度化、リソグラフィー工程への検査適応とウエーハ検査装置に求められるアプリケーション幅が広範囲になりつつある。

本講演では検査装置に求められる課題に対する取り組み、新しいアプリケーションについて紹介する。


 

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最終更新日 : 2008/01/09